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雙腔體粉末及Wafer等離子體ALD

雙腔體粉末及Wafer等離子體ALD
  • 品牌:韞茂科技
  • 產(chǎn)地:福建
  • 關(guān)注度:2333
  • 型號:QBT-T
  • 報價:面議
  • 信息完整度:
核心參數(shù)
    產(chǎn)品介紹

    雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng) QBT-T


    6.jpg

    原子層沉積(Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。 


    產(chǎn)品描述


    廈門韞茂科技公司的雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)(QBT-T),設(shè)備采用雙腔體設(shè)計,腔體之間可實現(xiàn)獨立控制,雙倍產(chǎn)出。腔體分別為PEALD腔室,粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的獨特設(shè)計,使設(shè)備可以在平片上實現(xiàn)等離子體ALD的生長工藝以及粉末ALD包覆工藝,設(shè)備配有獨立控制的300℃完整加熱反應(yīng)腔室系統(tǒng),保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有**粉末樣品桶、晶圓載盤、全自動溫度控制、ALD前驅(qū)體源鋼瓶、自動溫度控制閥、工業(yè)級安全控制,以及現(xiàn)場RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱、極片架等設(shè)計選項。是先進(jìn)能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導(dǎo)體領(lǐng)域研究與應(yīng)用的**研發(fā)工具之一。


    主要技術(shù)參數(shù)


    QBT-T 技術(shù)參數(shù) Technical Specifications (TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制備)
    腔體雙腔體設(shè)計(1個硅片PEALD腔室,1個粉末ALD腔室),每個腔體獨立控制,雙倍產(chǎn)出
    等離子體 Plasma**3kW RF自匹配電源
    **基板尺寸Max Wafer SizeФ150mm (可定制)
    高精準(zhǔn)樣品加熱控制 Wafer HeatingRT-300±1℃
    前驅(qū)體 Max Precursor**可包括3組等離子體反應(yīng)氣體 8組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 
    臭氧發(fā)生器Ozone Generator可選配,生產(chǎn)效率15g/h
    人機界面 HMI全自動化人機操作界面
    安全Safety工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖Industry Safety Interlock,報警Alarm,EMO








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    工商信息

    企業(yè)名稱

    廈門韞茂科技有限公司

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    廈門韞茂科技有限公司成立于2018年,團隊成員擁有豐富的薄膜沉積工藝及設(shè)備開發(fā)產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。公司目前已擁有各類**技術(shù)近50項,入選國家級高新技術(shù)企業(yè)及國家級專精特新“小巨人”企業(yè)。韞茂科技專注于鋰電池、光伏、Mini/Micro LED、先進(jìn)光學(xué)、碳化硅、集成電路、超導(dǎo)材料和器件等領(lǐng)域薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)與生產(chǎn),目前已形成了以ALD原子層成膜系統(tǒng)、PVD物理氣相沉積系統(tǒng)、CVD 化學(xué)氣相系統(tǒng)、Epitaxy外延爐等一系列薄膜沉積設(shè)備為核心的產(chǎn)品矩陣。憑借在先進(jìn)材料設(shè)備業(yè)

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