廈門韞茂科技有限公司
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產(chǎn)品詳情:
上下雙腔,集表面處理與蒸發(fā)鍍膜為一體,高效可靠的Indium蒸鍍助手。
技術(shù)參數(shù)
QBT-I 技術(shù)參數(shù) Technical Specifications (Indium Bump等制備) | |
高真空腔體 HV Chamber | 2個(gè)HV腔室,Loadlock離子束刻蝕及蒸鍍,極限真空Ultimate Pressure<3E-8Torr |
排氣速率Pumping Spead | 從ATM到8E-7Torr<15min (loadlock) |
極限蒸發(fā)速率 High Depostion Rate | 5-12nm/s (Indium), Ф100基板鍍膜均一性<3%, 大容量坩堝 |
精準(zhǔn)的樣品冷卻控制 Wafer Cooling | -10-40℃ (精度±0.1) |
離子束清洗 Ion Milling | 考夫曼離子源, Ф100基板刻蝕均一性<3% |
人機(jī)界面 HMI | 全自動(dòng)化人機(jī)操作界面 |
安全Safety | 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖Industry Safety Interlock,報(bào)警Alarm,EMO |
測(cè)試結(jié)果
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