廈門韞茂科技有限公司
已認(rèn)證
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原子層沉積(Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。
產(chǎn)品描述
廈門韞茂科技公司的GM系列自動(dòng)粉末原子層沉積設(shè)備它可以在微納米粉體上實(shí)現(xiàn)均勻可控的原子層沉積或分子層沉積生長(zhǎng),GM1000的反應(yīng)室可自動(dòng)運(yùn)行ALD(原子層沉積)或MLD(分子層沉積),設(shè)備配有獨(dú)立控制的300℃完整加熱反應(yīng)腔室系統(tǒng),保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有**粉末樣品桶、動(dòng)態(tài)粉末流化機(jī)構(gòu)、全自動(dòng)溫度控制、ALD前驅(qū)體源鋼瓶、自動(dòng)溫度控制閥、工業(yè)級(jí)安全控制,以及現(xiàn)場(chǎng)RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱等設(shè)計(jì)選項(xiàng)。是先進(jìn)能源材料、催化劑材料、新型納米材料研究與應(yīng)用的**研發(fā)工具。
主要技術(shù)參數(shù)
G100 Powder ALD 技術(shù)參數(shù) Technical Specifications (ZrO2, LiNbO3, Al2O3, LPT, LiS等制備) | |
樣品**裝載量 Capacity | 100g(可根據(jù)需求定制, 也可放置3D基體及多片平片 |
樣品反應(yīng)溫度 Heating | RT-300℃ |
前驅(qū)體 Max Precursor | **可包括2組反應(yīng)氣體 8組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體, Max 2 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors |
前驅(qū)體加熱**溫度 Max Precursor Heating | RT-200℃ |
包覆均一性 Uniformity | <3% |
成膜速率 Deposition Rate | 1-2A/Cycle (Al2O3) |
臭氧發(fā)生器Ozone Generator | 可選配,生產(chǎn)效率15g/h |
人機(jī)界面 HMI | 全自動(dòng)化人機(jī)操作界面 |
安全Safety | 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖Industry Safety Interlock,報(bào)警Alarm,EMO |
G1000 Powder ALD 技術(shù)參數(shù) Technical Specifications (ZrO2, LiNbO3, Al2O3, LPT, LiS等制備) | |
樣品**裝載量 Capacity | 1000g(可根據(jù)需求定制, 也可放置3D基體及多片平片 |
樣品反應(yīng)溫度 Heating | RT-300℃ |
前驅(qū)體 Max Precursor | **可包括2組反應(yīng)氣體 8組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體, Max 2 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors |
前驅(qū)體加熱**溫度 Max Precursor Heating | RT-300℃ |
包覆均一性 Uniformity | <3% |
成膜速率 Deposition Rate | 1-2A/Cycle (Al2O3) |
臭氧發(fā)生器Ozone Generator | 可選配,生產(chǎn)效率15g/h |
人機(jī)界面 HMI | 全自動(dòng)化人機(jī)操作界面 |
安全Safety | 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖Industry Safety Interlock,報(bào)警Alarm,EMO |
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企業(yè)名稱
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信用代碼
91350200MA31JEYQ4Y法人代表
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