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雙腔型超高真空蒸鍍系統(tǒng)
技術參數(shù):
1高真空腔體:2個高真空腔體包括負荷鎖及Evaporation,極限真空極限壓力<2e-8 Torr
2排氣速率:ATM到3E-7 Torr<20分鐘(裝載鎖)
3基板加熱:RT-600oC
4離子束清洗:考夫曼離子源,離子能量100-600 eV, 100-1200eV; 離子束電流::20-200mA,或100基板刻蝕
均一性<3%
5高壓電源:6-10千瓦電源,1-6源口袋
6成膜均勻性:<3%(6inch Wafer)
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